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NCERT solutions for Physics [Hindi] Class 12 chapter 14 - अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ [Latest edition]

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NCERT solutions for Physics [Hindi] Class 12 chapter 14 - अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ - Shaalaa.com
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Solutions for Chapter 14: अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ

Below listed, you can find solutions for Chapter 14 of CBSE NCERT for Physics [Hindi] Class 12.


अभ्यास
अभ्यास [Pages 500 - 503]

NCERT solutions for Physics [Hindi] Class 12 14 अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ अभ्यास [Pages 500 - 503]

अभ्यास | Q 14.1 | Page 500

किसी n-प्रकार के सिलिकॉन में निम्नलिखित में से कौन-सा प्रकथन सत्य है?

  • इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक हैं और त्रिसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

  • इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

  • होल (विवर) अल्पसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

  • होल (विवर) बहुसंख्यक वाहक हैं और त्रिसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

अभ्यास | Q 14.2 | Page 501

किसी p-प्रकार के अर्द्धचालकों के लिए निम्नलिखित में से कौन-सा प्रकथन सत्य है?

  • इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक हैं और त्रिसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

  • इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

  • होल (विवर) अल्पसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

  • होल (विवर) बहुसंख्यक वाहक हैं और त्रिसंयोजी परमाणु अपमिश्रक हैं।

अभ्यास | Q 14.3 | Page 501

कार्बन, सिलिकॉन और जर्मोनियम, प्रत्येक में चार संयोजक इलेक्ट्रॉन हैं। इनकी विशेषता ऊर्जा बैड अंतराल द्वारा पृथक्कृत संयोजकता और चालन बैंड द्वारा दी गई हैं, जो क्रमशः
(Eg)c, (Eg)s; तथां (Eg) Ge के बराबर हैं। निम्नलिखित में से कौन-सा प्रकथन सत्य है?

  • (Eg)si <(Eg) Ge <(Eg)c

  • (Eg)c <(Eg) Ge > (Eg)st

  • (Eg)c > (Eg)s >(Eg) Ge

  • (Eg)c = (Eg)si = (Eg)Ge

अभ्यास | Q 14.4 | Page 501

बिना बायस p-n संधि में, होल क्षेत्र में n-क्षेत्र की ओर विसरित होते हैं, क्योंकि ______.

  • n-क्षेत्र में मुक्त इलेक्ट्रॉन उन्हें आकर्षित करते हैं।

  • ये विभवांतर के कारण सन्धि के पार गति करते हैं।

  • p-क्षेत्र में होल-सांद्रता, n-क्षेत्र में उनकी सांद्रता से अधिक है।

  • उपरोक्त सभी।

अभ्यास | Q 14.5 | Page 501

जब p- n संधि पर अग्रदिशिक बायस अनुप्रयुक्त किया जाता है, तब यह ______.

  • विभव रोधक बढ़ाता है।

  • बहुसंख्यक वाहक धारा को शून्य कर देता है।

  • विभव रोधक को कम कर देता है।

  • उपरोक्त में से कोई नहीं।

अभ्यास | Q 14.6 | Page 501

अर्द्ध-तरंगी दिष्टकरण में, यदि निवेश आवृत्ति 50Hz है तो निर्गम आवृत्ति क्या है? समान निवेश आवृत्ति हेतु पूर्ण तरंग दिष्टकारी की निर्गम आवृत्ति क्या है?

अभ्यास | Q 14.7 | Page 501

कोई p-n फोटोडायोड 2.8eV बैंड अंतराल वाले अर्द्धचालक से संविरचित है। क्या यह 6000 nm की तरंगदैर्ध्य का संसूचन कर सकता है?

अतिरिक्त अभ्यास

अभ्यास | Q 14.8 | Page 501

सिलिकॉन परमाणुओं की संख्या 5 x 1028 प्रति m3 है। यह साथ ही साथ आर्सेनिक के 5 x 1022 परमाणु प्रति m3 और इडियम के 5 x 1020 परमाणु प्रति m3 से अपमिश्रित किया गया है। इलेक्ट्रॉन और होल की संख्या का परिकलन कीजिए। दिया है क ni = 1.5 x 1016 m-3 दिया गया पदार्थ n-प्रकार का है या p-प्रकार का?

अभ्यास | Q 14.9 | Page 501

किसी नैज अर्द्धचालक में ऊर्जा अंतराल Eg का मान 1.2 eV है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता की तुलना में काफी कम है तथा ताप पर निर्भर नहीं है। इसकी 600 K तथा 300 K पर चालकताओं का क्या अनुपात है? यह मानिए की नैज वाहक सांद्रता n की ताप निर्भरता इस प्रकार व्यक्त होती है 

`"n"_"i" = "n"_0 " exp" (("E"_"g")/(2"K"_"B""T"))`

जहाँ n0 एक स्थिरांक है।

अभ्यास | Q 14.10 | Page 502

किसी p-n सन्धि डायोड में धारी I को इस प्रकार व्यक्त किया जा सकता है

I = `"I"_0 " exp"("eV"/(2"K"_"B""T") - 1)`

जहाँ I0 को उत्क्रमित संतृप्त धारा कहते हैं, V डायोड के सिरों पर वोल्टता है तथा यह अग्रदिशिक बायस के लिए धनात्मक तथा पश्चदिशिक बायस के लिए ऋणात्मक है। V डायोड से प्रवाहित धारा है, KB बोल्ट्जमान नियतांक (8.6 x 10-5 eV/K) है तथा T परम ताप है। यदि किसी दिए गए डायोड के लिए I0 = 5 x 10-12 A तथा T= 300K है, तब

  1. 0.6 अग्रदिशिक वोल्टता के लिए अग्रदिशिक धारा क्या होगी?
  2. यदि डायोड के सिरों पर वोल्टता को बढ़ाकर 0.7 V कर दें तो धारा में कितनी वृद्धि जाएगी?
  3. गतिक प्रतिरोध कितना है?
  4. यदि पश्चदिशिक वोल्टता को 1 से 2V कर दें तो धारा का मान क्या होगा?
अभ्यास | Q 14.11 | Page 502

आपको चित्र 14.1 में दो परिपथ दिए गए हैं। यह दर्शाइए कि परिपथ

  1. OR गेट की भाँति व्यवहार करता है जबकि परिपथ
  2. AND गेट की भाँति कार्य करता है।
(a) (b)
अभ्यास | Q 14.12 | Page 502

नीचे दिए गए चित्र में संयोजित NAND गेट संयोजित परिपथ की सत्यमान सारणी बनाइए।

अतः इस परिपथ द्वारा की जाने वाली यथार्थ तर्क संक्रिया का अभिनिर्धारण कीजिए।

अभ्यास | Q 14.13 | Page 503

आपको निम्न चित्र में दर्शाए अनुसार परिपथ दिए गए हैं जिनमें NAND गेट जुड़े हैं। इन दोनों परिपथों द्वारा की जाने वाली तर्क संक्रियाओं का अभिनिर्धारण कीजिए।

(a) (b)
अभ्यास | Q 14.14 | Page 503

चित्र में दिए गए NOR गेट युक्त परिपथ की सत्यमान सारणी लिखिए और इस परिपथ द्वारा अनुपालित तर्क संक्रियाओं (OR, AND, NOT) को अभिनिर्धारित कीजिए। (संकेत : A = 0, B = 1 तब दूसरे NOR गेट के निवेश A और B, 0 होंगे और इस प्रकार Y = 1 होगा। इसी प्रकार A और B के दूसरे संयोजनों के लिएY के मान प्राप्त कीजिए। OR, AND, NOT द्वारों की सत्यमान सारणी से तुलना कीजिए और सही विकल्प प्राप्त कीजिए।)

अभ्यास | Q 14.15 | Page 503

चित्र में दर्शाएंगैकवल NOR गेटों से बने परिपथ की सत्यमान सारणी बनाइए। दोनों परिपथों द्वारा अनुपालित तर्क संक्रियाओं (OR, AND, NOT) को अभिनिर्धारित कीजिए।

(a) (b)

Solutions for 14: अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ

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NCERT solutions for Physics [Hindi] Class 12 chapter 14 - अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ - Shaalaa.com

NCERT solutions for Physics [Hindi] Class 12 chapter 14 - अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ

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